電動車專用MOSFET選擇指南
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控制器 | 6管/9管/12管 | 12管/15管/18管 | 12管/24管/36管 |
48V | |||
60V/64V | |||
72V | |||
96V | - |
電動車專用MOSFET參數
▼ 48V控制器專用:
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VDS | >69V | >71V | >75V | >70V | >70V | >75V |
VTH | 3V | 3V | 2.85V | 2.9V | 2.9V | 3V |
Ron | 6.2mR | 5.9mR | 6.5mR | 4.5mR | 4.0mR | 3.1mR |
▼ 60~64V控制器專用:
| ||||||
VDS | >85V | >82V | >85V | >85V | >85V | >85V |
VTH | 2.85V | 2.9V | 3V | 3V | 3V | 3V |
Ron | 6.8mR | 7.5mR | 5.8mR | 4.9mR | 3.2mR | 3.6mR |
▼ 72V控制器專用:
| |||||
VDS | >100V | >100V | >100V | >100V | >100V |
VTH | 3V | 3V | 3V | 3.2V | 3.2V |
Ron | 9.9mR | 7.5mR | 5.7mR | 4.6mR | 5mR |
▼ 96V控制器專用:
| ||
VDS | >140V | >150V |
VTH | 3V | 3.1V |
Ron | 10.5mR | 13mR |
注:產品名后面字母C表示電容和Qg優化升級的新一代產品,具有更快的開關速度和更低的開關損耗。
T0-220 Package(NCE8580)
MOSFET溫升對比實驗(NCE8580)
注:該實驗模擬電動車在持續爬坡過程中MOS管NCE8580的溫升情況,溫度取樣點:MOS管散熱片
可靠性實驗(NCE8580)
- HTRB可靠性試驗:環境溫度150C下,漏電電壓80% Vds,繼續通電1000小時,80顆全通過
- HTGB可靠性試驗:環境溫度150C下,柵極電壓80% Vgs,繼續通電1000小時,80顆全通過
- 控制器高溫試驗:64V12管限流值28A電機500W,控制器所處環境溫度80C下,正常加載持續老化48小時通過
- 控制器短路試驗:A,B,C三相各短路30次全通過
- 控制器堵轉試驗:100次通過
產品特征
- 低導通電阻,低柵極電荷
- 高散熱能力;高結溫下,大電流持續導通能力
- 高EAS能力(100% UIS測試)
- 電參數高度一致性和重復性(芯片在國際一流8英寸芯片代工廠生產+成品在國內頂尖的封測廠封裝)
- 特殊制程,高防靜電能力(ESD)
貨源保證
- 穩定持續的大量供貨能力